Introdução
Segundo (Silva, 2014) o material ativo mais comum para a construção do díodo é o silício, um material semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante e o condutor, cuja resistência decresce com o aumento da temperatura. O silício é um elemento do grupo IV da tabela periódica e tem quatro elétrons na última órbita em sua estrutura atômica. Se a ele for acrescido um elemento pentavalente, com cinco elétrons na última órbita, haverá um elétron livre na estrutura do cristal. O elétron livre possibilita um grande aumento na condução e, como o elétron é uma carga negativa, esse material é conhecido como semicondutor tipo N.
Objectivo Geral
- Saber sobre os díodos em série e em paralelo.
Objectivos Específicos
- Definir os díodos em série e em paralelo.
- Exemplicar cálculo de resistores divisores de tensão.
1. Díodos
Se ao silício for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com três elétrons
na sua última órbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um elétron. Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna, e possibilita um grande aumento na condução; esse material dopado é conhecido como
semicondutor tipo P. O grau de dopagem (adição de impurezas) é da ordem de 107 átomos. Em semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente é de elétrons e a minoria é de lacunas. O contrário aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo da dopagem, a condutividade do semicondutor tipo N ou P é aumentada muito se comparada ao silício puro.
O diodo mostrado abaixo é formado pela junção dos materiais dos tipos N e P. Desta
forma, só há passagem de corrente elétrica quando for imposto um potencial maior no lado P do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial formada nesta junção (Vg), é necessária uma d.d.p. com valor acima de 0,6V (em diodos de sinal) para que haja a condução. Em díodos de potência, esta tensão necessária gira em torno de 1 a 2V…
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